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2213一体成型电感--免费样品

一体成型电感(模压电感)包括座体和绕组本体,所述座体系将绕组本体埋入金属磁性粉末内部压铸而成,SMD引脚为绕组本体的引出脚直接成形于座体表面,本实用新型有较传统电感更高的电感和更小的漏电感;电感为SMD结构设计,使用时既不会损坏电感,又能提高生产效率.
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Product: 一体成型电感

Series: 2213

Dimenson: [Unit: mm]



GENERAL SPECIFICATIONS:

P/N

感值

L

DCR

温升电流

(Irms)

饱和电流

(ISAT)

μH

A

A

±20%

typ.

Max.

Typ.

Typ.

PSPMGD2213-1R5M-ANF

1.50

1.00

1.15

52.0

62.0

PSPMGD2213-2R0M-ANF

2.00

1.02

1.20

50.0

60.0

PSPMGD2213-2R2M-ANF

2.20

1.05

1.25

48.0

58.0

PSPMGD2213-3R0M-ANF

3.00

1.42

1.64

44.0

51.0

PSPMGD2213-3R3M-ANF

3.30

1.50

1.75

41.0

49.0

PSPMGD2213-4R7M-ANF

4.70

1.90

2.20

38.0

47.0

PSPMGD2213-6R8M-ANF

6.80

2.70

3.10

36.0

40.0

PSPMGD2213-100M-ANF

10.00

3.80

4.15

28.0

33.0

PSPMGD2213-220M-ANF

22.00

9.20

11.00

15.0

22.0

PSPMGD2213-230M-ANF

23.00

9.20

11.00

15.0

22.0

PSPMGD2213-330M-ANF

33.00

13.50

15.40

12.0

19.0

PSPMGD2213-470M-ANF

47.00

17.30

20.80

12.0

17.0

PSPMGD2213-680M-ANF

68.00

26.20

29.50

12.0

14.0

PSPMGD2213-750M-ANF

75.00

27.50

31.60

10.5

13.0

PSPMGD2213-820M-ANF

82.00

31.00

34.20

9.0

12.0

PSPMGD2213-101M-ANF

100.00

36.00

40.00

9.0

11.0

备注:

© 测试频率:100kHz/1V

© 测试数据基于环境温度20℃取得

© 加载饱和电流(ISAT)会使电感量下降大约30

© 加载温升电流(Irms)会使电感量温度上升大约40℃(上升温度+初始温度=电感最终承受温度)

© 工作电流(IDC)取值于温升电流(Irms)与饱和电流(ISAT)二者最小值

© 电感工作环境温度:-40℃~125℃,产品最终承受温度不得高于125℃

© 系列规格书只用于电感一般特性的参考,产品适用场景及更详细的参数请向我司索取单颗产品的规格书