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AP8366

AP8366由一个低待机功率准共振(QR)一次侧变控制器和雪崩式智能功率VDMOSFET(AP8366-A/B 700V,AP8366-C 800V)组成,专门为高性能AC/DC充电器或适配器设计,外部元件最少。AP8366在一次侧传感和调节中工作,因此可以省去光耦和A431。
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