美光晶圆厂出事故，DRAM供应雪上加霜？

记忆体缺货状况将雪上加霜？已与台湾美光半导体合并的DRAM 厂华亚科，近日传出厂房制程所需的氮气出状况，造成逾半晶圆报废，厂房目前仍处停工状态，接下来DRAM 供货恐受影响。

根据本报取得的消息，华亚科厂房近日传出制程所需氮气出现状况，气体污染造成约6 万片晶圆报废，华亚科厂房为双子星结构，一厂可容纳两座12 吋厂，两厂月产能可达12 万片以上，此次逾半产能晶圆报废，影响不可谓小。

华亚科与美国DRAM 大厂美光于去年12 月初正式合并，华亚科于去年初即逐步转进20 纳米，为美光体系中，最早开始转进20 纳米的厂房，其中产品线也扩充至移动式记忆体LPDDR4。美光与三星、SK 海力士今年都以3GB LPDDR4 供货，跻身苹果iPhone 8 供应链，此次事件是否将对iPhone 8 供货造成冲击值得观察。

而事件难保不对整体DRAM 市场造成影响，据调研机构集邦科技记忆体储存研究DRAMeXchange 先前预估，受到DRAM 厂商制程转进不易、短期缺乏大幅新增产能下，估第三季DRAM 平均销售单价（ ASP）将上扬5%，此事件冲击下，这波记忆体涨价潮短期恐怕难以止息。

台湾美光今(4) 日晚间表示，厂务系统确实曾出现些微错误，但传言太夸大，公司已迅速解决并恢复正常运作，对产出没有影响。

业界人士指出，近期DRAM市场迈入旺季，市况供不应求、价格持续扬升中，若台湾美光桃园厂区半数晶圆报废，恐使得供给更加吃紧，进一步推升价格走势，影响所及，不仅下游模组厂威刚、创见等可能随势再次调涨报价，恐连带牵动非标准型记忆体市场供需，南亚科、华邦电等业者旺季将更加忙碌。

台湾美光强调，桃园厂区已恢复正常生产。惟相关话题已在业界引起热议，中国搜狐网转载台湾科技新报报导称，华亚科厂房近日传出制程所需氮气出现状况，气体污染造成约6 万片晶圆报废，华亚科厂房为双子星结构，一厂可容纳两座12 吋厂，两厂月产能可达12 万片以上，此次逾半产能晶圆报废，影响不小。

华亚科原为台塑集团旗下南亚科与美光合资兴建的12 吋晶圆厂，美光后来斥资新台币1300 亿元，收购华亚科全数在外股权，于2016 年12 月6 日顺利完成收购程序，华亚科从台股下市，成为台湾美光桃园厂区，宣告台厂正式退出标准型DRAM 制造，专注利基型记忆体相关发展。

虽然美光的影响不大，但在DRAM紧缺的2017，新工艺推进乏力，DRAM缺口会持续放大。

自2016 年中开始，DRAM 记忆体供货不足，造成市场价格全面上涨的情况，如今又要多加一个变数。那就是DRAM 记忆体的市场龙头三星，在2017 年2 月中旬陆续召回部分序号的18 纳米制程的记忆体模组，并且再重新出货给客户之后，仍然发生有瑕疵的状况。而且，此事件已影响了名列前茅的PC 大厂在DPPM (每百万台的不良率) 有大幅提升的状况。再加上，不仅是三星出现这样的情况，连美光(Micron) 的17 纳米制程PC DRAM 记忆体模组都有类似的情形发生，如此也为2017 年DRAM 市场的供货状况与价格变化再投下不确定因素。

从供应链所掌握的消息，市场原本预计，在进入2017 年第2 季之后，因为有三星18 纳米的PC DRAM 记忆体模组与美光17 纳米的PC DRAM 记忆体模组相继出货，供货吃紧的状况应该可以得到缓解。不料，三星继上次召回有瑕疵的18 纳米制程的PC DRAM 记忆体模组之后，近期再次出货的情况仍旧没有改善，还因而造成PC大厂在DPPM ( 每百万台的不良率)有大幅提升的状况。而除了三星之外，美光的17 纳米制程PC DRAM 记忆体模组也碰上相类似的情况。甚至以目前出货给客户的样本来看，良率还低于50% 以下。

据了解，由于美光原本答应在2017 年第2 季给客户的PC DRAM 记忆体模组中，会包含部分的17 纳米制程产品。如今，在17 纳米制程的PC DRAM 记忆体模组良率有问题的情况下，美光又无法再回头提供20 纳米制程的产品给客户，这也使得美光陷入两难的状态。

美光在PC DRAM 记忆体模组上分为两个系列，Rexchip 系列的产品，目前制程已经由25 纳米制程推进到17纳米，而Inotera 系列则仍旧停留在20 纳米的制程上。而目前美光的Rexchip 系列17 纳米制程产品，在设计与制程上都与前一代的25 纳米制程产品有很大的差异。因此，良率不高一直是在美光预期中的结果。只是，美光预估，一旦Rexchip 系列17 纳米制程产品可以达到50% 以上的良率，则从晶圆切下来的裸晶晶粒数量就已经能够达到平衡成本的需求。因此，当时美光才会坚持生产17 纳米制程产品。不料，如今连50% 的良率都不容易达到。

而美光为了解决这样的问题，则预计在Rexchip 系列17 纳米制程产品再重新设计一版新的产品。而此版本的产品，原本预计在2017 年第4 季底才会出货，而美光则是将时程提早于第3 季底。不过，即便如此，2017 年自第2 季开始陆续两季的PC DRAM 记忆体模组供货吃紧的情况仍将难以改善，价格也将持续的不断攀升。

供应链知情人士指出，近期不论是三星或美光在PC DRAM 记忆体模组发生的状况，除了显示出市场持续供货吃紧的情况之外，也表示DRAM 制程在进化至20 纳米以下之际，连过去制程转换都一直非常顺畅的三星，也同样会出现问题的情况下，显见制程转换真有其难度。至于，目前PC DRAM 记忆体模组三大厂中，仅有SK 海力士还没有转换制程至20 纳米以下的制程。虽然，看似在时程上较竞争对手落后，但实际来说却是现阶段市场上最获利的公司。

至于，就当前DRAM 记忆体的价格变化，因为近期有价格下滑的情况，也开始引起市场人士的关注，担心是否为DRAM 变化的开始。市场人士表示，在市场供货吃紧的情况下，DRAM 价格未来一到两季仍呈现上扬的局面。而近期会出现下滑的情况，主要是在现货价的部分，因为过去的一番涨幅，使得现货价已经超越合约价，近期势必有所调涨整之外，因为DDR3 的供应随着系统转换到DDR4 的规格上，使得DDR3 的价格有出现下滑的情况。不过，绝大多数的DDR4 价格依旧不断看涨。