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  • rtxdhtiu|2024-3-19 13:41| 阅读 1|评论 0
    产品概述: NCV4264-2 在功能和引脚上都与 NCV4264 兼容,具有较低的静态电流消耗。 其输出级提供 100 mA,输出电压精度为 +/-2.0%。 100 mA 负载电流下的最大漏电压为 500 mV。它具有针对 45 V 输入瞬变、输入电源逆向、输出过电流故障和超高裸片温度的内部保护。 无需外部组件即可启用这些功能。 产品特性: 5 ...
  • rtxdhtiu|2024-3-19 13:40| 阅读 1|评论 0
    产品概述: NCV8452 是一款完全保护的高压侧驱动器,可用于开关各种负载,如灯泡、电磁阀和其他致动器。该器件可以通过有源电流限制和高温关断针对过载情况进行内部保护。 产品特性: 短路保护 具有自动重启功能的热关断 CMOS (3 V/5 V)兼容控制输入 过压保护和关断保护 用于感性开关的输出电压箝位 欠压 ...
  • rtxdhtiu|2024-3-19 13:39| 阅读 1|评论 0
    产品概述: NCV317M低压差 (LDO) 线性稳压器是一款可调 3 端正 LDO 稳压器,能够在 0.5 V 至 1 V 的输出电压范围内提供超过 2.37 A 的电流。该稳压器非常易于使用,只需两个外部电阻器即可设置输出电压。此外,它还采用内部电流限制、热关断和安全区域补偿,使其基本上具有防爆功能。 该NCV317M服务于各种应用, ...
  • rtxdhtiu|2024-3-19 13:38| 阅读 1|评论 0
    产品概述: NCV4276B是一款输出电流400 mA集成式低压差稳压器系列,设计用于恶劣的汽车环境。它包括宽工作温度和输入电压范围。该器件提供固定和可调电压版本,输出电压精度为 2%。它具有高峰值输入电压容差和反向输入电压保护。它还提供过流保护、过热保护和抑制功能,用于控制输出电压的状态。该NCV4276B采用 DPA ...
  • WiFi IPQ8072 router work with QCN9074-Triband card-support WPA3 Qos- Low latency ...
    wallystech|2024-3-19 11:01| 阅读 11|评论 0
    In today's digital age, the Internet has become an indispensable part of people's life and work. In order to meet the needs of users for faster, more stable and more secure network connections, Qualcomm introduced the IPQ8072 chip router, which is a powerful and excellent performance device th ...
  • 13924672287|2024-3-19 10:41| 阅读 1|评论 0
    HS6621Cx是一款功耗优化的真正片上系统 (SOC)解决方案,适用于低功耗蓝牙和专有2.4GHz应用。它集成了高性能、低功耗射频收发器,具有蓝牙基带和丰富的外设IO扩展。HS6621Cx还集成了电源管理功能,可提供高效的电源管理。它面向2.4GHz蓝牙低功耗系统、专有2.4GHz系统、人机接口设备(键盘、鼠标和遥控器)、运动和休闲 ...
  • 13924672287|2024-3-19 10:36| 阅读 1|评论 0
    随着科技的不断进步,智能环境监测已成为现代社会发展的必然趋势。为了满足不同场景下对环境参数的实时监测需求,我们推出了适用于无线网络传感器方案的2.4GHz芯片,旨在为用户打造高效、智能的环境监测体系。 01方案介绍 1、技术原理: 方案采用2.4GHz芯片SI24R03作为无线 ...
  • 13924672287|2024-3-19 09:56| 阅读 1|评论 0
    音频放大器是在产生声音的输出元件上重建输入的音频信号的设备,其重建的信号音量和功率级都要理想——如实、有效且失真低。音频范围为约20Hz~20000Hz,因此放大器在此范围内必须有良好的频率响应。根据应用的不同,功率大小差异很大,从耳机的毫瓦级到TV或PC音频的数瓦,再到“迷你”家庭立体声和汽车音响的几十瓦 ...
  • rtxdhtiu|2024-3-18 16:45| 阅读 2|评论 0
    产品特性: 此 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 使用先进的低压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电池管理应用。 产品特性: –1.6 A, –20 V. RDS(ON)= 115 mΩ @ VGS = –4.5 V RDS(ON) = 155 mΩ @ VGS = –2.5 V 快速开关速度 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON) SuperSOT™ -3 提供低 RDS(ON),并且在同样 ...
  • rtxdhtiu|2024-3-18 16:44| 阅读 1|评论 0
    产品概述: 此器件在一个双 Power 33 (3 mm X 3 mm MLP) 封装中包括了两个特制的 N 沟道 MOSFET。 开关节点已经内部连接,可实现同步降压转换器的轻松布置和布线。 控制 MOSFET (Q1) 和同步 MOSFET (Q2) 可提供最佳功率效率。 产品特性: Q1: N沟道 最大值 RDS(开)= 32mΩ(VGS系列= 4.5V,我D= 5A ) Q2 ...
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