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在2019全球闪存峰会上,Everspin作为全球MRAM存储芯片龙头分享如何用MRAM这类非易失性存储和NVMeSSD构建未来的云存储的解决方案。首先STT-MRAM作为异常掉电数据缓存的介质有以下几大优势:1.非易失性存储器芯片,比传统的SRAM或者DRAM在数据保持方面更强;2.芯片容量较大,单颗芯片容量高达1Gb;3.采用DDR4接口,带宽可以到2.7GB/s,超强性能;4.擦写次数几十亿次!生命周期;5.超低延迟;6.数据保存期很久:85度高温下数据可以保存10年以上;7.数据错......
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